نیمه هادی نوع p : برای ساخت نیمه هادی نوع p عناصر سه ظرفیتی مانند آلومینیوم و یا گالیم که در مدار آخرشان سه الکترون دارند و جزو عناصر سه ظرفیتی می باشند به صورت ناخالصی به کریستال سیلیکون وارد نموده عنصر وارده جدید نیز مجبور به اطاعت از ساختمان کریستالی می باشد.
و هر اتم از عنصر جدید با چهار اتم سیلیکون تشکیل یک مولوکول جدید را می دهد بنابر این مدار آخر پیوند جدید به جای هشت الکترون دارای هفت الکترون شده ویک جای خالی برای الکترون های آزاد در پیون جدید درست می شود که به آن حفره گویند حفره نیز خاصیت هدایت بیشتر را به نیمه هادی جدید که همان نیمه هادی نوع p است می دهد .
در مورد LED ها و واردات قطعات الکترونیک ماده رسانا نوعاً آلومینیوم گالیوم آرسناید است (AlGaAs) در آلومینیوم گالیوم آرسناید خالص تمام اتمها به طور کامل با همسایه هایش محدود شده است و هیچ الکترون آزادی برای هدایت جریان الکتریکی وجود ندارد.
در ماده دوپینگ شده اتمهای الحاقی تعادل را به هم می زنند خواه افزایش الکترون یا حفره ها (جایی که الکترون می تواند برود ) هر یک از این ملحقات می تواند ماده را بیشتر رسانا کند یک نیمه هادی با الکترون اضافی نوع N نامیده می شود.
چرا که ذرات بار شونده منفی دارد در نوع N الکترون های آزاد از ناحیه شارژ منفی به ناحیه شارژ مثبت حرکت می کنند.
یک نیمه هادی با حفره های بیشتر ماده نوع P نامیده می شود چرا که ذرات بار شونده مثبت بیشتری دارد الکترونها می توانند از حفره یی به حفره دیگر حرکت کنند .
حرکت از ناحیه شارژ منفی به ناحیه شارژ مثبت در نتیجه حفره ها به نظر می آید که از ناحیه شارژ مثبت به ناحیه شارژ منفی حرکت می کنند.
یک دیود شامل یک بخش N متصل به بخش P است با الکترونهایی در هر طرف .
این چینش و ال ای دی hg الکترونها را فقط در یک جهت حرکت می دهد .
وقتی هیچ ولتاژی اعمال نشود الکترونهای ماده نوع N سوراخهای ماده نوع P را در راستای اتصال بین لایه ها پر می کند و ناحیه تخلیه را ایجاد می کند.
در ناحیه تخلیه ماده نیمه هادی به عایق خوبی تبدیل می شود و همه حفره ها پر می شوند و هیچ الکترون یا حفره یی برای ایجاد جریان وجود ندارد.